TMC1340-SO Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC, Trinamic Motion Control GmbH

TMC1340-SO характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.38W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.5A, 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.38W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.5A, 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 25V