TLP5771(TP,E характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Технология	Optical Coupling
Рабочая температура	-40°C ~ 110°C
Омологация	CQC, cUR, UR, VDE
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	6-SO
Напряжение питания	10 V ~ 30 V
Изоляционное напряжение	5000Vrms
Повторяющийся импульсный ток	1A
Ток выхода высокий уровень, низкий уровень	1A, 1A
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	15ns, 8ns
Задержка распространения tpLH / tpHL (Макс)	150ns, 150ns
Искажение длительности импульса (Макс)	50ns
Прямое напряжение (Vf)	1.65V
Помехоустойчивость (Мин)	35kV/µs
Прямой ток (If) (Max)	8mA

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Технология	Optical Coupling
Рабочая температура	-40°C ~ 110°C
Омологация	CQC, cUR, UR, VDE
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	6-SO
Напряжение питания	10 V ~ 30 V
Изоляционное напряжение	5000Vrms
Повторяющийся импульсный ток	1A
Ток выхода высокий уровень, низкий уровень	1A, 1A
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	15ns, 8ns
Задержка распространения tpLH / tpHL (Макс)	150ns, 150ns
Искажение длительности импульса (Макс)	50ns
Прямое напряжение (Vf)	1.65V
Помехоустойчивость (Мин)	35kV/µs
Прямой ток (If) (Max)	8mA

TLP5771(TP,E

TLP5771(TP,E характеристики