TB67S279FTG,EL характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	48-VFQFN Exposed Pad
Технология	Power MOSFET
Рабочая температура	-20°C ~ 85°C (TA)
Интерфейс	Parallel
Применение	General Purpose
Исполнение корпуса	48-VQFN (7x7)
Напряжение питания	4.75 V ~ 5.25 V
Функции	Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Выходной ток	2A
Конфигурация выхода	Half Bridge (8)
Напряжение нагрузки	10 V ~ 47 V
Тип двигателя - Шаговый	Bipolar
Тип двигателя - AC, DC	-
Шаг	1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	48-VFQFN Exposed Pad
Технология	Power MOSFET
Рабочая температура	-20°C ~ 85°C (TA)
Интерфейс	Parallel
Применение	General Purpose
Исполнение корпуса	48-VQFN (7x7)
Напряжение питания	4.75 V ~ 5.25 V
Функции	Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Выходной ток	2A
Конфигурация выхода	Half Bridge (8)
Напряжение нагрузки	10 V ~ 47 V
Тип двигателя - Шаговый	Bipolar
Тип двигателя - AC, DC	-
Шаг	1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32

TB67S279FTG,EL

TB67S279FTG,EL характеристики