T2N7002BK,LM характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVII-H
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23-3
Рассеивание мощности (Макс)	320mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 100mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	40pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVII-H
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23-3
Рассеивание мощности (Макс)	320mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 100mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	40pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

T2N7002BK,LM

T2N7002BK,LM характеристики