STY50N105DK5 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	SuperMESH5™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C
Исполнение корпуса	MAX247™
Рассеивание мощности (Макс)	625W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1050V
Ток стока (Id) @ 25°C	44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 22A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	175nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6600pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	SuperMESH5™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C
Исполнение корпуса	MAX247™
Рассеивание мощности (Макс)	625W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1050V
Ток стока (Id) @ 25°C	44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 22A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	175nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6600pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

STY50N105DK5

STY50N105DK5 характеристики