STP13NM50N характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ II
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220AB
Рассеивание мощности (Макс)	100W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ II
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220AB
Рассеивание мощности (Макс)	100W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

STP13NM50N

STP13NM50N характеристики