STN3PF06 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™ II
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 1.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™ II
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 1.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

STN3PF06

STN3PF06 характеристики