STN3NF06L характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™ II
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	3.3W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 1.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	340pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±16V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™ II
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	3.3W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 1.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	340pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±16V

STN3NF06L

STN3NF06L характеристики