STN1NK80Z характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	SuperMESH™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	800V
Ток стока (Id) @ 25°C	250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	160pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	SuperMESH™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	800V
Ток стока (Id) @ 25°C	250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	160pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

STN1NK80Z

STN1NK80Z характеристики