STL9P3LLH6 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™ H6
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	3W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 4.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2615pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™ H6
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	3W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 4.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2615pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

STL9P3LLH6

STL9P3LLH6 характеристики