STL9P2UH7 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	2.9W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2390pF @ 16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	2.9W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2390pF @ 16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

STL9P2UH7

STL9P2UH7 характеристики