STL8N10LF3 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™ III
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	4.3W (Ta), 70W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	970pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™ III
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	4.3W (Ta), 70W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	970pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

STL8N10LF3

STL8N10LF3 характеристики