Каталог товаров
Назад

STL8DN6LF3

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6


STL8DN6LF3 характеристики

Производитель STMicroelectronics
Серия STripFET™ III
Part Status Discontinued at Digi-Key
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerVDFN
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности 65W
Исполнение корпуса PowerFlat™ (5x6)
Base Part Number ST*8DN
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 668pF @ 25V

Характеристики

Производитель STMicroelectronics
Серия STripFET™ III
Part Status Discontinued at Digi-Key
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerVDFN
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности 65W
Исполнение корпуса PowerFlat™ (5x6)
Base Part Number ST*8DN
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 668pF @ 25V

STL8DN6LF3

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на STL8DN6LF3. Транзисторы — полевые — массивы производства STMicroelectronics доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы STL8DN6LF3 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1061 ₽
+ 159150 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
78 шт.
от 868 ₽
+ 260400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 868 ₽
+ 260400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
19 шт.
от 653 ₽
+ 195900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
329 шт.
от 961 ₽
+ 288300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 865 ₽
+ 259500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
85 шт.
от 640 ₽
+ 192000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 575 ₽
+ 172500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
368 шт.
от 640 ₽
+ 192000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
1855 шт.
от 578 ₽
+ 173400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
91 шт.
от 640 ₽
+ 192000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
8 шт.
от 578 ₽
+ 173400 баллов