STL6N2VH5 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™ V
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	2.4W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 3A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™ V
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	2.4W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 3A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

STL6N2VH5

STL6N2VH5 характеристики