STL52N25M5 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ V
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 110W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	250V
Ток стока (Id) @ 25°C	28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 14A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1770pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ V
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 110W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	250V
Ток стока (Id) @ 25°C	28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 14A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1770pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

STL52N25M5

STL52N25M5 характеристики