STL4P3LLH6 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	DeepGATE™, STripFET™ H6
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	2.4W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56 mOhm @ 2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	639pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	DeepGATE™, STripFET™ H6
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	2.4W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56 mOhm @ 2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	639pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

STL4P3LLH6

STL4P3LLH6 характеристики