STL3N10F7 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	DeepGATE™, STripFET™ VII
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	2.4W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	408pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	DeepGATE™, STripFET™ VII
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	2.4W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	408pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

STL3N10F7

STL3N10F7 характеристики