STL36DN6F7 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	58W
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (5x6)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 4.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	420pF @ 30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	58W
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (5x6)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 4.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	420pF @ 30V

STL36DN6F7

STL36DN6F7 характеристики