STL26NM60N характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ II
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	4-PowerFlat™ HV
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (8x8) HV
Рассеивание мощности (Макс)	125mW (Ta), 3W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.7A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	185 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ II
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	4-PowerFlat™ HV
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (8x8) HV
Рассеивание мощности (Макс)	125mW (Ta), 3W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.7A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	185 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

STL26NM60N

STL26NM60N характеристики