STL25N60M2-EP характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ M2-EP
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	4-PowerFlat™ HV
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (8x8) HV
Рассеивание мощности (Макс)	125W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	205 mOhm @ 8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.75V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1090pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ M2-EP
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	4-PowerFlat™ HV
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (8x8) HV
Рассеивание мощности (Макс)	125W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	205 mOhm @ 8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.75V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1090pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

STL25N60M2-EP

STL25N60M2-EP характеристики