STL120N4LF6AG характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	96W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 mOhm @ 13A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4260pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	40V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	96W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 mOhm @ 13A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4260pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	40V

STL120N4LF6AG

STL120N4LF6AG характеристики