STL11N3LLH6 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	DeepGATE™, STripFET™ VI
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta), 50W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 5.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1690pF @ 24V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	DeepGATE™, STripFET™ VI
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerFlat™ (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta), 50W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 5.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1690pF @ 24V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

STL11N3LLH6

STL11N3LLH6 характеристики