STI6N90K5 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ K5
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Full Pack, I?Pak
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	110W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	900V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 100µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ K5
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Full Pack, I?Pak
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	110W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	900V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 100µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

STI6N90K5

STI6N90K5 характеристики