STI28N60M2 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ M2
Part Status	Active
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I2PAK (TO-262)
Рассеивание мощности (Макс)	170W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 11A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1440pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ M2
Part Status	Active
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I2PAK (TO-262)
Рассеивание мощности (Макс)	170W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 11A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1440pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

STI28N60M2

STI28N60M2 характеристики