STI100N10F7 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-
Исполнение корпуса	I2PAK (TO-262)
Рассеивание мощности (Макс)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (Max)	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-
Исполнение корпуса	I2PAK (TO-262)
Рассеивание мощности (Макс)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (Max)	-

STI100N10F7

STI100N10F7 характеристики