STH110N10F7-2 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	DeepGATE™, STripFET™ VII
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	H2Pak-2
Рассеивание мощности (Макс)	150W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 55A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5117pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	DeepGATE™, STripFET™ VII
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	H2Pak-2
Рассеивание мощности (Макс)	150W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 55A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5117pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

STH110N10F7-2

STH110N10F7-2 характеристики