STFW60N65M5 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ V
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	ISOWATT218FX
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	ISOWATT-218FX
Рассеивание мощности (Макс)	79W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650V
Ток стока (Id) @ 25°C	46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59 mOhm @ 23A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	139nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6810pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ V
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	ISOWATT218FX
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	ISOWATT-218FX
Рассеивание мощности (Макс)	79W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650V
Ток стока (Id) @ 25°C	46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59 mOhm @ 23A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	139nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6810pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

STFW60N65M5

STFW60N65M5 характеристики