STFV3N150 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	PowerMESH™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220-3
Рассеивание мощности (Макс)	30W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1500V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 Ohm @ 1.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	939pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	PowerMESH™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220-3
Рассеивание мощности (Макс)	30W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1500V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 Ohm @ 1.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	939pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

STFV3N150

STFV3N150 характеристики