STFI4N62K3 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	SuperMESH3™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Full Pack, I?Pak
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I2PAKFP (TO-281)
Рассеивание мощности (Макс)	25W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	620V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 1.9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	SuperMESH3™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Full Pack, I?Pak
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I2PAKFP (TO-281)
Рассеивание мощности (Макс)	25W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	620V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 1.9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

STFI4N62K3

STFI4N62K3 характеристики