STFI34NM60N характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ II
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Full Pack, I?Pak
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I2PAKFP (TO-281)
Рассеивание мощности (Макс)	40W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 14.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	84nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2722pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ II
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Full Pack, I?Pak
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I2PAKFP (TO-281)
Рассеивание мощности (Макс)	40W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 14.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	84nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2722pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

STFI34NM60N

STFI34NM60N характеристики