STFI260N6F6 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	DeepGATE™, STripFET™ VI
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Full Pack, I?Pak
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	I2PAKFP (TO-281)
Рассеивание мощности (Макс)	41.7W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 60A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	183nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11400pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	DeepGATE™, STripFET™ VI
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Full Pack, I?Pak
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	I2PAKFP (TO-281)
Рассеивание мощности (Макс)	41.7W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 60A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	183nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11400pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

STFI260N6F6

STFI260N6F6 характеристики