STFI15N95K5 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ K5
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Full Pack, I?Pak
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I2PAKFP (TO-281)
Рассеивание мощности (Макс)	30W
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	950V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 5.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	855pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ K5
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Full Pack, I?Pak
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I2PAKFP (TO-281)
Рассеивание мощности (Макс)	30W
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	950V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 5.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	855pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

STFI15N95K5

STFI15N95K5 характеристики