STFI13N80K5 Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 800V 12A I2PAK-FP, STMicroelectronics

STFI13N80K5 характеристики	Выбрать все
Серия	MDmesh™ K5
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Full Pack, I?Pak
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I2PAKFP (TO-281)
Рассеивание мощности (Макс)	35W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	800V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	870pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	MDmesh™ K5
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Full Pack, I?Pak
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I2PAKFP (TO-281)
Рассеивание мощности (Макс)	35W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	800V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	870pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V