STF8NK100Z характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	SuperMESH™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220FP
Рассеивание мощности (Макс)	40W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1000V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.85 Ohm @ 3.15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	102nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2180pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	SuperMESH™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220FP
Рассеивание мощности (Макс)	40W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1000V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.85 Ohm @ 3.15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	102nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2180pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

STF8NK100Z

STF8NK100Z характеристики