STE60N105DK5 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ DK5
Part Status	Active
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	ISOTOP
Рассеивание мощности (Макс)	680W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1050V
Ток стока (Id) @ 25°C	46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 23A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	204nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6675pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ DK5
Part Status	Active
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	ISOTOP
Рассеивание мощности (Макс)	680W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1050V
Ток стока (Id) @ 25°C	46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 23A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	204nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6675pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

STE60N105DK5

STE60N105DK5 характеристики