STE40NK90ZD характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	SuperFREDmesh™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	ISOTOP
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	ISOTOP®
Рассеивание мощности (Макс)	600W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	900V
Ток стока (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	826nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	25000pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	SuperFREDmesh™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	ISOTOP
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	ISOTOP®
Рассеивание мощности (Макс)	600W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	900V
Ток стока (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	826nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	25000pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

STE40NK90ZD

STE40NK90ZD характеристики