STE180NE10 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	ISOTOP
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	ISOTOP®
Рассеивание мощности (Макс)	360W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 40A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	795nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	21000pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	ISOTOP
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	ISOTOP®
Рассеивание мощности (Макс)	360W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 40A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	795nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	21000pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

STE180NE10

STE180NE10 характеристики