STE140NF20D характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™ II
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	ISOTOP
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	ISOTOP
Рассеивание мощности (Макс)	500W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 70A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	338nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11100pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™ II
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	ISOTOP
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	ISOTOP
Рассеивание мощности (Макс)	500W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 70A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	338nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11100pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

STE140NF20D

STE140NF20D характеристики