STD8NM60N-1 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ II
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I-PAK
Рассеивание мощности (Макс)	70W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 3.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	560pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ II
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I-PAK
Рассеивание мощности (Макс)	70W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 3.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	560pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

STD8NM60N-1

STD8NM60N-1 характеристики