STD5N20LT4 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	D-Pak
Рассеивание мощности (Макс)	33W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 2.5A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	242pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	D-Pak
Рассеивание мощности (Макс)	33W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 2.5A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	242pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	±20V

STD5N20LT4

STD5N20LT4 характеристики