STD1NK60-1 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	SuperMESH™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I-PAK
Рассеивание мощности (Макс)	30W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	156pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	SuperMESH™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I-PAK
Рассеивание мощности (Макс)	30W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	156pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

STD1NK60-1

STD1NK60-1 характеристики