STD16N50M2 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252, (D-Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	110W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 6.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	710pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252, (D-Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	110W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 6.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	710pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

STD16N50M2

STD16N50M2 характеристики