STD11NM65N характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ II
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	DPAK
Рассеивание мощности (Макс)	110W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650V
Ток стока (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	455 mOhm @ 5.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™ II
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	DPAK
Рассеивание мощности (Макс)	110W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650V
Ток стока (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	455 mOhm @ 5.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

STD11NM65N

STD11NM65N характеристики