STC6NF30V характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™ II
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.5W
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 3A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	600mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 2.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	STripFET™ II
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.5W
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 3A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	600mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 2.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 25V

STC6NF30V

STC6NF30V характеристики