STB9NK70Z-1 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	SuperMESH™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	115W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	700V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1370pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	SuperMESH™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	115W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	700V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1370pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

STB9NK70Z-1

STB9NK70Z-1 характеристики