STB23NM50N от 810 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 11А; 125Вт; D2PAK, STMicroelectronics

STB23NM50N характеристики	Выбрать все
Серия	MDmesh™ II
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	D2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	125W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 8.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1330pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

Характеристики	Выбрать все
Серия	MDmesh™ II
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	D2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	125W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 8.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1330pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V