STB20NM50T4 характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	D2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	192W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	550V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1480pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	MDmesh™
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	D2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	192W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	550V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1480pF @ 25V

STB20NM50T4

STB20NM50T4 характеристики