SSM6P47NU,LF(T характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-WDFN Exposed Pad
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1W
Исполнение корпуса	6-UDFN (2x2)
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-WDFN Exposed Pad
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1W
Исполнение корпуса	6-UDFN (2x2)
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 10V

SSM6P47NU,LF(T

SSM6P47NU,LF(T характеристики