SSM6N815R,LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SMD, Flat Leads
Рабочая температура	150°C
Рассеивание мощности	1.8W (Ta)
Исполнение корпуса	6-TSOP-F
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 4V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SMD, Flat Leads
Рабочая температура	150°C
Рассеивание мощности	1.8W (Ta)
Исполнение корпуса	6-TSOP-F
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 4V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 15V

SSM6N815R,LF

SSM6N815R,LF характеристики