SSM6N7002CFU,LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	285mW
Исполнение корпуса	US6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 Ohm @ 100mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	17pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	285mW
Исполнение корпуса	US6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 Ohm @ 100mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	17pF @ 10V

SSM6N7002CFU,LF

SSM6N7002CFU,LF характеристики